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超细碳化硅杂质含量
超细碳化硅杂质含量
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 百度学术
作者： 尹长霞 摘要： 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材 采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe2O3,Si,SiO2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(1),反应时 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICPOES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International
T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二
2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、 定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 2016年12月15日 采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的 硅碳直接反应法制备超细βSiC粉《武汉工程大学学报》
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 豆丁网
2013年3月14日 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为原 【摘要】：某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D5008μm,对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格,通过选矿和化学处理方法可使其杂质含量达到标准需求,超细磨前利 超细碳化硅杂质含量
超细碳化硅粉体的制备及应用简介粉体资讯粉体圈
2016年12月23日 近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。 固相法主要包括以下几种：碳热还原法、Si与C直 2016年11月26日 基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低， 本文采用 ICPMS 法对高纯碳化硅粉表面的 Na 、 Al、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、Cd 12 种痕量杂质 ICPMS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 现代仪器 道
ICPMS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 现代仪器 豆丁网
2013年12月25日 杂质元素量的检测方法是很必要的。电感耦合等离子体质 谱仪（ICPMS）是发展最快的无机痕量、超痕量分析技术，具有很高的灵敏度；分析速度快，一次进样可进行多元素 的同时测定，应用非常广泛 [1，2]。基于高纯碳化硅粉表 面的杂质量很低，本 2023年12月20日 本发明涉及超细粉末生产，具体涉及一种超细碳化硅粉末的制备方法。背景技术： 1、碳化硅由于其较高的机械强度、硬度、导热性、以及优良的抗腐蚀性、抗热震性、半导体性能等优点，是许多工业环境中应用最广泛的非氧化物陶瓷材料，其应用包括独立的组装部件，以及在薄层沉积物和复合材料 一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为βSiC 目前,采用我国生产的超细重结晶碳化硅粉体制备的浆料没有达到国外先进水平,因此需要对粉体进行表面改性从而提高其固相含量,降低粘度。本文选用预处理的聚丙烯酸、嵌段共聚物HY2000和HY168、聚丙77 YS/T 英文版 高纯锆化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 78 YS/T 英文版 碳化硅 超细碳化硅杂质含量
超细碳化硅杂质含量
碳化硅晶舟（SICBOAT）如何做到9999%的高纯度？百度文库 烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在991%以上，制品密度 ≥310g/cm3,不含金属硅等金属杂质。 碳化硅陶瓷晶舟，碳化硅 获取价格超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质 超细碳化硅杂质含量
碳化硅含量的测定方法 豆丁网
2011年3月22日 由于碳化硅形成过程比较复杂,制备样粒度大 小影响测试结果,碳化硅颗粒中一般都包着少量的 炭、石英、方石英及其他杂质,我们做过通过015 mm和03mm筛网的同一试样,结果03mm粒度 的误差比015mm的大,所以采用015mm粒度。 3方法对比 同国内商检局的检测碳化硅 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
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杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J] 2021年1月30日 1）锂电池三元材料烧结：无压烧结碳化硅辊棒，常压烧结碳化硅陶瓷辊棒强度高、使用温度高，耐强酸耐强碱腐蚀，由于在超高温(2400℃)下煅烧，不含可溶性的酸碱成分； 2）碳化硅陶瓷晶舟：碳化硅纯度＞99%，金属杂质少，用于半导体配件； 3）碳化硅热无压烧结碳化硅辊棒1900℃，0金属杂质陶瓷
超细碳化硅杂质含量
纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分11仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。12 小时之前 碳化硅是一种人造材料，只是在人工合成碳化硅之后，才证实陨石中及地壳上偶然存在碳化硅。碳化硅的分子式为 SiC，分子量为 4007，质量百分组成为 7004的硅与 2995 的碳，碳化硅的理论密度为 31632g/cm3。碳化硅陶瓷与其他耐高温结构陶瓷的 碳化硅陶瓷件生产工艺和应用新闻中心上海戎创铠迅特种材料
一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法 豆丁网
2023年12月30日 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法pdf 上传 暂无简介 文档格式：pdf 文档大小： 36247K 文档页数： 7 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料 2013年3月14日 反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 豆丁网
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
2020年3月24日 WZZhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于05×106 2019年4月16日 碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。 主要目的是除去表面的游离硅，二氧化硅等物质，这样可以提高碳化硅的含量。 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 有两种方法：化学除铁法和物理触铁法，下面 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 百度知道
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 2023年11月23日 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。 近年来，随着科研工作者对纳米粉体改性的深入研究，表面改性呈现多样化，概括地说来主要分为 「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
张波—碳化硅分解 百度文库
特点：所制备的碳化硅产物高纯度、细分散； 相似方法：含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此 可合成出纳米级的βSiC 超细粉。 （3）热分解法 使聚碳硅烷或三氯甲基硅烷等有机硅聚合物在1200℃一 1500℃的温度范围内发生分解反应, 由此可合成出亚微米级 2013年12月25日 杂质元素量的检测方法是很必要的。电感耦合等离子体质 谱仪（ICPMS）是发展最快的无机痕量、超痕量分析技术，具有很高的灵敏度；分析速度快，一次进样可进行多元素 的同时测定，应用非常广泛 [1，2]。基于高纯碳化硅粉表 面的杂质量很低，本 ICPMS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 现代仪器 豆丁网
一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程
2023年12月20日 本发明涉及超细粉末生产，具体涉及一种超细碳化硅粉末的制备方法。背景技术： 1、碳化硅由于其较高的机械强度、硬度、导热性、以及优良的抗腐蚀性、抗热震性、半导体性能等优点，是许多工业环境中应用最广泛的非氧化物陶瓷材料，其应用包括独立的组装部件，以及在薄层沉积物和复合材料 2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为βSiC 碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
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目前,采用我国生产的超细重结晶碳化硅粉体制备的浆料没有达到国外先进水平,因此需要对粉体进行表面改性从而提高其固相含量,降低粘度。本文选用预处理的聚丙烯酸、嵌段共聚物HY2000和HY168、聚丙77 YS/T 英文版 高纯锆化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 78 YS/T 英文版 碳化硅 碳化硅晶舟（SICBOAT）如何做到9999%的高纯度？百度文库 烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在991%以上，制品密度 ≥310g/cm3,不含金属硅等金属杂质。 碳化硅陶瓷晶舟，碳化硅 获取价格超细碳化硅杂质含量
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超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质 2011年3月22日 由于碳化硅形成过程比较复杂,制备样粒度大 小影响测试结果,碳化硅颗粒中一般都包着少量的 炭、石英、方石英及其他杂质,我们做过通过015 mm和03mm筛网的同一试样,结果03mm粒度 的误差比015mm的大,所以采用015mm粒度。 3方法对比 同国内商检局的检测碳化硅 碳化硅含量的测定方法 豆丁网
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J] 超细碳化硅杂质含量超细碳化硅杂质含量超细碳化硅杂质含量